[发明专利]一种优化平面布局和结构的大电流氮化镓高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201810302016.6 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109103249A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 孙辉;王茂俊;陈建国;陈东敏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 | 代理人： | 武媛;吕学文 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | GaN高电子迁移率晶体管包含衬底、在衬底表面上形成的缓冲层，在缓冲层表面上形成的第一GaN层，在第一GaN沟道层表面上形成的AlGaN层、在AlGaN表面上沉积了栅介质层。二维电子气位于势垒层与沟道层的界面处的沟道层内。通过蚀刻方法、在源极和漏极开口的位置去除栅介质层和AlGaN层，在开口位置沉积金属后通过热处理过程使得沉积的金属和二维电子气形成欧姆接触。栅极形成在栅介质表面。通过蚀刻方法，去除隔离区区域的栅介质、AlGaN层、部分或者全部GaN沟道层，形成有源区。环形栅介质完全位于有源区范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 二维电子气 栅介质层 沟道层 栅介质 源区 沉积 氮化镓高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管 缓冲层表面 热处理过程 沉积金属 衬底表面 开口位置 欧姆接触 平面布局 位置去除 栅极形成 大电流 隔离区 环形栅 缓冲层 界面处 势垒层 衬底 漏极 源极 去除 开口 金属 优化 | ||
【主权项】：
1.一种GaN晶体管，其特征在于，包括：衬底材料、在衬底材料之上形成缓冲层、在缓冲层的表面上形成的第一GaN层、在第一GaN层上形成的第一AlGaN层，在第一GaN层和第一AlGaN层的界面上有二维电子气；源电极、漏电极和环形栅电极；其中，源电极和漏电极是与二维电子气形成欧姆接触的电极，栅电极是环绕漏电极形成的封闭的平面结构的电极。
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