[发明专利]一种优化平面布局和结构的大电流氮化镓高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种GaN晶体管，其特征在于，包括：

衬底材料、在衬底材料之上形成缓冲层、在缓冲层的表面上形成的第一GaN层、在第一GaN层上形成的第一AlGaN层，在第一GaN层和第一AlGaN层的界面上有二维电子气；

源电极、漏电极和环形栅电极；

其中，源电极和漏电极是与二维电子气形成欧姆接触的电极，栅电极是环绕漏电极形成的封闭的平面结构的电极。

2.根据权利要求1所述的GaN晶体管，其特征在于，在所述第一AlGaN层表面上可以有第二GaN帽层，第二p-AlGaN层或者第三p-GaN层。

3.根据权利要求1或2所述的GaN晶体管，其特征在于，包括栅介质层，栅介质层形成在第一AlGaN层表面或者第二GaN帽层表面。

4.根据权利要求3所述的GaN晶体管，其特征在于，所述栅介质层材料可以是以下材料中一种或者几种的组合：氮化硅、氧化铝、氧化硅、氧化镁，氧化铪，氧化钪，氧化镧，氧化钛。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的GaN晶体管，其特征在于，所述环形栅电极是如下栅电极中的一种：在所述栅介质层表面上形成的环形金属栅极；在所述p-GaN或p-AlGaN层表面上形成的环形金属栅极；在所述第一AlGaN层表面或者第二GaN帽层表面上形成的环形金属栅极。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的GaN晶体管，其特征在于，所述环形栅电极是将多个相互独立的环形栅电极连接形成。