[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种快恢复二极管及其制造方法，其中制造方法包括：对二极管主体的背面的N型缓冲层表面进行氧化，形成氧化层；刻蚀二极管主体的背面的预定区域的氧化层，形成开窗口；通过开窗口对二极管主体进行P阱注入，形成P阱区；对剩余氧化层进行刻蚀，露来N++注入窗口；对N++注入窗口注入N++杂质，并进行激活，使得P阱区形成处于浮空状态，与阳极区和漂移区构成内置晶闸管。通过设形成P阱区，然后进行N++注入，使得P阱区形成处于浮空状态，与二极管主体的阳极区和漂移区构成内置晶闸管，协调二极管导通压降与软恢复性能之间的折中关系，使得无需减薄硅片即可获得更好的导通压降与软恢复特性之间的折中关系，获得高品质快恢复二极管。

主权项

1.一种快恢复二极管制造方法，其特征在于，包括：步骤1，对二极管主体的背面的N型缓冲层表面进行氧化，形成氧化层；步骤2，刻蚀所述二极管主体的背面的预定区域的氧化层，形成开窗口；步骤3，通过所述开窗口对所述二极管主体进行P阱注入，形成P阱区；步骤4，对剩余所述氧化层进行刻蚀，露来N++注入窗口；步骤5，对所述N++注入窗口注入N++杂质，并进行激活，使得所述P阱区形成处于浮空状态，与所述二极管主体的阳极区和漂移区构成内置晶闸管。