[发明专利]一种低损伤钙钛矿太阳能电池及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201810292431.8 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108539022B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 彭勇;何江;刘三万 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 崔友明;闭钊
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种低损伤钙钛矿太阳能电池及其封装方法,该钙钛矿太阳能电池包括自下而上的导电基底层、电子传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、金属电极层、无机保护层以及陶瓷封装层。本发明主要解决现有封装方法普遍存在的容易对电池造成不可逆损伤导致电池效率严重下降的问题,通过采用能量较低的热蒸发工艺在电池表面蒸镀无机保护层,然后利用磁控溅射方法再形成陶瓷封装层,无机保护层的存在可以尽量降低溅射对钙钛矿太阳能电池的损伤。实践表明,采用本发明封装方法制得的钙钛矿太阳能电池性能稳定,效率较高且衰减小,尤其适用于大面积电池组件的封装。
搜索关键词: 一种 损伤 钙钛矿 太阳能电池 及其 封装 方法
【主权项】:
1.一种低损伤钙钛矿太阳能电池,其特征在于,该低损伤钙钛矿太阳能电池包括自下而上的导电基底层、电子传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、金属电极层、保护层和封装层,所述保护层完全覆盖钙钛矿太阳能电池表面,所述封装层直接封装在导电基底上并完全覆盖钙钛矿太阳能电池,所述保护层为氧化钼或氧化钒类无机物薄膜,所述封装层为氧化铝、氧化硅或氮化硅类陶瓷材料薄膜。
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