[发明专利]光电传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810291004.8 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108461509A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 王春雷;赵伟;韩林;蒋昆 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光电传感器及其制备方法，属于检测技术领域。本发明的光电传感器包括：基底，设置在所述基底上的光电二极管，以及与所述光电二极管电性连接的薄膜晶体管，还包括：设置在所述基底上、且背离所述光电二极管的一侧的非可见光转换层，所述非可见光转换层用于将非可见光转换成可见光，以供所述光电二极管将所述可见光转换为电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 光电传感器 非可见光 基底 可见光 转换层 制备 检测技术领域 薄膜晶体管 电性连接 转换 背离 | ||
【主权项】：
1.一种光电传感器，包括：基底，设置在所述基底上的光电二极管，以及与所述光电二极管电性连接的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：设置在所述基底上、且背离所述光电二极管的一侧的非可见光转换层，所述非可见光转换层用于将非可见光转换成可见光，以供所述光电二极管将所述可见光转换为电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
