[发明专利]光电传感器及其制备方法

说明书

本发明提供一种光电传感器及其制备方法，属于检测技术领域。本发明的光电传感器包括：基底，设置在所述基底上的光电二极管，以及与所述光电二极管电性连接的薄膜晶体管，还包括：设置在所述基底上、且背离所述光电二极管的一侧的非可见光转换层，所述非可见光转换层用于将非可见光转换成可见光，以供所述光电二极管将所述可见光转换为电信号。

技术领域

本发明属于检测技术领域，具体涉及一种光电传感器及其制备方法。

背景技术

目前，市场上使用的光电传感器包括以下两种类型：直接式光电传感器、间接式光电传感器。其中，间接式光电传感器主要是利用非可见光转换层2吸收照射在其上的X光，并将该X光转化为可见光，再利用光电二极管将可见光中的光信号转化为电信号，最后利用IC(集成电路；Integrated Circuit)对电信号进行处理，以形成X光图像。直接式光电传感器主要是利用光电二极管直接吸收X光，并将X光中的光信号转化为电信号，再利用IC对电信号进行处理，以形成X光图像。由于X光直接照射在光电二极管上，极易缩短光电二极管的使用寿命，从而降低光电传感器的寿命，因此，在现有技术中，常采用间接式光电传感器来形成X光图像。

然而，发明人发现，如图1所示，现有的间接式光电传感器中的非可见光转换层2和层间绝缘层9之间设置有固体胶7，也就是说，非可见光转换层2是通过固体胶7贴附在层间绝缘层9上的，事实上，在制备光电传感器时，该贴附工艺的操作难度大，若非可见光转换层2与层间绝缘层9发生错位，极易导致整个光电传感器报废，从而降低产品的良率，增加生产光电传感器的成本。

因此，为解决上述的技术问题，本发明提供了一种新型的光电传感器。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种结构简单，便于制备的光电传感器。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种光电传感器，包括：基底，设置在所述基底上的光电二极管，以及与所述光电二极管电性连接的薄膜晶体管，还包括：设置在所述基底上、且背离所述光电二极管的一侧的非可见光转换层，所述非可见光转换层用于将非可见光转换成可见光，以供所述光电二极管将所述可见光转换为电信号。

优选的是，所述光电二极管包括：沿背离所述基底方向依次设置的第二极、PIN半导体层、第一极；其中，

所述光电二极管的第一极与所述薄膜晶体管的漏极一体成型。

优选的是，在所述光电二极管的PIN半导体层上设置有层间绝缘层，且在所述层间绝缘层至少与所述PIN半导体层对应的位置处设置有过孔，所述光电二极管的第一极通过所述过孔与所述PIN半导体层连接；

沿着背离所述基底的方向，所述薄膜晶体管的源极、漏极、有源层、栅极依次设置在所述层间绝缘层上。

优选的是，所述第二极的中间位置处设置有容纳部，用于容纳所述可见光。

优选的是，所述光电传感器还包括：保护层，设置在所述非可见光转换层背离所述基底的一侧。

优选的是，所述非可见光转换层的材料包括碘化铯。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种光电传感器的制备方法，所述光电传感器为上述的光电传感器，所述制备方法包括：

在基底上形成非可见光转换层；

在所述基底上、且背离所述非可见光转换层的一侧，形成光电二极管，以及与所述光电二极管电性连接的薄膜晶体管。

优选的是，所述光电二极管包括：沿背离所述基底方向依次设置的第二极、PIN半导体层、第一极；其中，所述光电二极管的第一极与所述薄膜晶体管的漏极，采用一次构图工艺形成。