[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810282891.2 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110350018B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 卡鲁纳·尼迪;柯明道;林庭佑 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：一基板，具有一表面；一第一掺杂区，形成于该基板中；一第二掺杂区，形成于该基板中；一第三掺杂区，形成于该基板中，其中该第三掺杂区位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，并电性隔离该第一掺杂区与该第二掺杂区；一第四掺杂区，形成于该基板中，为该第二掺杂区所包围；一栅极掺杂区，形成于该基板中，为该第四掺杂区所包围；一源极掺杂区，形成于该基板中，位于该第二掺杂区内；一漏极掺杂区，形成于该基板中，位于该第二掺杂区内；以及多个隔离结构，形成于该基板中，位于该栅极掺杂区与该源极掺杂区之间，以及位于该栅极掺杂区与该漏极掺杂区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板，具有一表面；一第一掺杂区，形成于该基板中；一第二掺杂区，形成于该基板中；一第三掺杂区，形成于该基板中，其中该第三掺杂区位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，并电性隔离该第一掺杂区与该第二掺杂区；一第四掺杂区，形成于该基板中，为该第二掺杂区所包围；一栅极掺杂区，形成于该基板中，为该第四掺杂区所包围；一源极掺杂区，形成于该基板中，位于该第二掺杂区内；一漏极掺杂区，形成于该基板中，位于该第二掺杂区内；以及多个隔离结构，形成于该基板中，位于该栅极掺杂区与该源极掺杂区之间，以及位于该栅极掺杂区与该漏极掺杂区之间。
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