[发明专利]高压半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810281129.2 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110349929A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 林志鸿;李家豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种高压半导体装置及其制造方法。上述方法包含提供基底，其具有第一导电型态。上述方法亦包含执行第一离子注入制程，以形成第一掺杂区于基底内。第一掺杂区具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述方法更包含形成第一磊晶层于基底上。此外，上述方法包含执行第二离子注入制程，形成第二掺杂区于第一磊晶层内，第二掺杂区具有第二导电型态。第一掺杂区与第二掺杂区直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 导电型态 基底 高压半导体装置 磊晶层 制程 离子 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体装置的制造方法，其特征在于，包括:提供一基底，其具有一第一导电型态；执行一第一离子注入制程，形成一第一掺杂区于该基底内，该第一掺杂区具有与该第一导电型态不同的一第二导电型态；形成一第一磊晶层于该基底上；以及执行一第二离子注入制程，形成一第二掺杂区于该第一磊晶层内，该第二掺杂区具有该第二导电型态；其中该第一掺杂区与该第二掺杂区直接接触。
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