[发明专利]一种薄膜晶体管结构及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201810276392.2 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108538854B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 周纪登;张然;汪弋;李环宇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜晶体管结构及其制备方法、阵列基板和显示装置。在本发明提供的薄膜晶体管结构中,包括耦接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中,该第一薄膜晶体管的第一电极,该第二薄膜晶体管的第二电极,以及用于耦接该第一电极和第二电极的搭接线同层形成,该搭接线连接该第一电极与第二电极的两端,且该第一电极、第二电极之间的区域包括镂空结构,减小了搭接线的面积。从而大幅降低搭接线上光刻胶在烘烤工艺中受热膨胀对沟道对应位置光刻胶厚度的影响,进而有效改善沟道处金属残留的问题,降低了沟道处发生短路不良的风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 结构 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管结构,包括:耦接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管的第一电极,所述第二薄膜晶体管的第二电极,以及用于耦接所述第一电极和所述第二电极的搭接线同层形成,所述搭接线连接所述第一电极与所述第二电极的两端,且所述第一电极、所述第二电极之间的区域包括镂空结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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