[发明专利]一种薄膜晶体管结构及其制备方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201810276392.2 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108538854B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 周纪登;张然;汪弋;李环宇 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种薄膜晶体管结构及其制备方法、阵列基板和显示装置。在本发明提供的薄膜晶体管结构中,包括耦接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中,该第一薄膜晶体管的第一电极,该第二薄膜晶体管的第二电极,以及用于耦接该第一电极和第二电极的搭接线同层形成,该搭接线连接该第一电极与第二电极的两端,且该第一电极、第二电极之间的区域包括镂空结构,减小了搭接线的面积。从而大幅降低搭接线上光刻胶在烘烤工艺中受热膨胀对沟道对应位置光刻胶厚度的影响,进而有效改善沟道处金属残留的问题,降低了沟道处发生短路不良的风险。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 结构 及其 制备 方法 阵列 显示装置
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管结构,包括:耦接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管的第一电极,所述第二薄膜晶体管的第二电极,以及用于耦接所述第一电极和所述第二电极的搭接线同层形成,所述搭接线连接所述第一电极与所述第二电极的两端,且所述第一电极、所述第二电极之间的区域包括镂空结构。
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