[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201810272759.3 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108470805B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，低温P型层的生长温度为720～790℃，低温P型层与有源层之间设有第一插入层，第一插入层为周期为n的Al‑GaN/GaN超晶格结构，2≤n≤10，第一插入层的生长温度与低温P型层的生长温度相同；低温P型层与电子阻挡层之间设有第二插入层，第二插入层为掺Al的GaN结构，第二插入层的生长温度比低温P型层的生长温度高10～50℃。通过设置第一插入层和第二插入层，既能减少缺陷的产生，又能提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 插入层 发光二极管外延 生长 电子阻挡层 衬底 源层 半导体技术领域 超晶格结构 低温缓冲层 发光二极管 高温缓冲层 发光效率 依次层叠 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠设置在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，所述低温P型层的生长温度为720～790℃，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括设置在所述低温P型层与所述有源层之间的第一插入层，所述第一插入层为周期为n的Al‑GaN/GaN超晶格结构，2≤n≤10，所述第一插入层的生长温度与所述低温P型层的生长温度相同；所述发光二极管外延片还包括设置在所述低温P型层与所述电子阻挡层之间的第二插入层，所述第二插入层为掺Al的GaN结构，所述第二插入层的生长温度比所述低温P型层的生长温度高10～50℃；所述低温P型层的厚度为18～50nm，所述第一插入层的厚度为所述低温P型层的1/3～1/5，所述第二插入层的厚度为所述低温P型层的1/5～1/10。
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