[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201810263929.1 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109216215B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 黄冠育;吴志伟;郭立中;李隆华;黄松辉;施应庆;李百渊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 为了防止在半导体管芯接合至其它衬底之后在半导体管芯的拐角处出现裂缝，邻近半导体管芯的拐角形成开口，并且用缓冲材料填充和过填充开口，其中，缓冲材料的物理特性介于半导体管芯和邻近缓冲材料放置的底部填充材料的物理特性之间。本发明实施例涉及一种半导体器件和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：沿着半导体管芯的外边缘形成开口；用缓冲材料过填充所述开口的至少部分；以及邻近所述缓冲材料放置底部填充材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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