[发明专利]半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

沿着半导体管芯的外边缘形成开口，所述半导体管芯包括第一材料的半导体衬底，所述第一材料的第一特性具有第一值；

用缓冲材料过填充所述开口的至少部分，所述缓冲材料的所述第一特性具有与所述第一值不同的第二值；以及

邻近所述缓冲材料放置底部填充材料，所述底部填充材料的所述第一特性具有第三值，所述第二值介于所述第一值和所述第三值之间，

其中，所述第一特性是杨氏模量或热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：在过填充所述开口之后并且在放置所述底部填充材料之前，从半导体晶圆分割所述半导体管芯。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，通过用锯切割穿所述缓冲材料和所述半导体晶圆来实施分割所述半导体管芯。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：在邻近所述缓冲材料放置所述底部填充材料之前，将所述半导体管芯接合至第一衬底。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，在放置所述底部填充材料期间，所述底部填充材料在所述第一衬底和所述缓冲材料之间流动。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，还包括：将所述第一衬底接合至第二衬底。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，用所述缓冲材料过填充所述开口的至少部分留下沿着所述半导体管芯的整个周边的所述缓冲材料。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

部分地分割第一晶圆以在所述第一晶圆内形成第一开口，所述第一晶圆包括第一材料的半导体衬底，所述第一材料的第一特性具有第一值，其中，所述第一开口至少部分地延伸至第一半导体器件和第二半导体器件内；

用缓冲材料填充所述第一开口的至少部分，所述缓冲材料的所述第一特性具有与所述第一值不同的第二值；

在填充所述第一开口之后，完全地分割所述第一晶圆，其中，在完全地分割所述第一晶圆之后，所述缓冲材料保留在所述第一半导体器件上方的所述第一开口内；

将所述第一半导体器件接合至第一衬底；以及

将底部填充材料分配在所述第一半导体器件和所述第一衬底之间，其中，所述底部填充材料的所述第一特性具有第三值，所述第二值介于所述第一值和所述第三值之间，

其中，所述第一特性是杨氏模量或热膨胀系数。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，部分地分割所述第一晶圆形成具有斜切边缘的所述第一开口。

10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，部分地分割所述第一晶圆形成具有垂直侧边的所述第一开口。

11.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，通过外部连接件将所述第一半导体器件接合至所述第一衬底，将所述底部填充材料分配在所述外部连接件和所述缓冲材料之间的第一区域中。

12.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中，将所述底部填充材料分配在所述第一区域中后，所述缓冲材料与所述外部连接件隔开。

13.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，填充所述第一开口的至少部分将所述缓冲材料放置在所述第一半导体器件的拐角区域内，其中，所述缓冲材料没有延伸超出所述第一半导体器件的拐角区域。

14.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，还包括在填充所述第一开口的至少部分之后，圆化所述缓冲材料。