[发明专利]半导体器件和制造方法

说明书

为了防止在半导体管芯接合至其它衬底之后在半导体管芯的拐角处出现裂缝，邻近半导体管芯的拐角形成开口，并且用缓冲材料填充和过填充开口，其中，缓冲材料的物理特性介于半导体管芯和邻近缓冲材料放置的底部填充材料的物理特性之间。本发明实施例涉及一种半导体器件和制造方法。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体器件和制造方法。

背景技术

半导体器件用于诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻和蚀刻工艺图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过不断减小器件尺寸以及减小器件之间的间隔持续地改进各个电子组件(例如，半导体管芯、芯片、衬底等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定的区域。然而，随着尺寸的减小，组件在如何接合和操作方面出现额外的问题，并且这些额外的问题应该被解决。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：沿着半导体管芯的外边缘形成开口；用缓冲材料过填充所述开口的至少部分；以及邻近所述缓冲材料放置底部填充材料。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：部分地分割第一晶圆以在所述第一晶圆内形成第一开口，所述第一晶圆包括第一材料的半导体衬底，所述第一材料的第一特性具有第一值，其中，所述第一开口至少部分地延伸至第一半导体器件和第二半导体器件内；用缓冲材料填充所述第一开口的至少部分，所述缓冲材料的所述第一特性具有与所述第一值不同的第二值；在填充所述第一开口之后，完全地分割所述第一晶圆，其中，在完全地分割所述第一晶圆之后，所述缓冲材料保留在所述第一半导体器件上方的所述第一开口内；将所述第一半导体器件接合至衬底；以及将底部填充材料分配在所述第一半导体器件和所述衬底之间，其中，所述底部填充材料的所述第一特性具有第三值，所述第二值介于所述第一值和所述第三值之间。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种半导体器件，包括：第一半导体器件，所述第一半导体器件包括第一外部连接件；缓冲材料，沿着所述第一半导体器件的外边缘；以及底部填充材料，从所述第一半导体器件的侧壁、所述缓冲材料周围延伸至所述缓冲材料和所述第一外部连接件之间的点。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的具有第一半导体器件和第二半导体器件的晶圆。

图2A至图2B示出了根据一些实施例的缓冲材料的放置。

图3示出了根据一些实施例的晶圆100的分割。

图4示出了根据一些实施例的第一半导体器件与第二衬底的接合。

图5示出了根据一些实施例的底部填充物的放置。

图6示出了根据一些实施例的第二衬底与第三衬底的接合。

图7示出了根据一些实施例的具有平坦底面的开口。

图8示出了根据一些实施例的具有平坦底面的缓冲材料的放置。

图9示出了根据一些实施例的晶圆的分割。

图10示出了根据一些实施例的第一半导体管芯与第二衬底和第三衬底的接合。

图11示出了根据一些实施例的同时分割和拐角圆化工艺。

图12示出了根据一些实施例的分割工艺之后的单独的拐角圆化工艺。