[发明专利]半导体器件、制备方法和层合体有效
| 申请号： | 201810254959.6 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108666224B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 安田浩之;菅生道博;加藤英人;近藤和纪 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件，其包括支撑体、粘合树脂层、绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层。粘合树脂层树脂层(A)和树脂层(B)组成，所述树脂层(A)包含在其主链中含有稠环的光分解性树脂，所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1‑500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。所述半导体器件易于制造并且具有耐热加工性，容易分离所述支撑体并且有效地生产半导体封装。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 合体 | ||
【主权项】：
1.半导体器件，其包括支撑体、在所述支撑体上形成的粘合树脂层、在所述树脂层上形成的绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层，所述粘合树脂层由从支撑体侧依次布置的树脂层(A)和树脂层(B)组成，所述树脂层(A)包含在主链中含有稠环的光分解性树脂，所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1至500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
