[发明专利]半导体器件、制备方法和层合体有效
| 申请号： | 201810254959.6 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108666224B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 安田浩之;菅生道博;加藤英人;近藤和纪 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 合体 | ||
1.半导体器件，其包括支撑体、在所述支撑体上形成的粘合树脂层、在所述树脂层上形成的绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层，
所述粘合树脂层由从支撑体侧依次布置的树脂层(A)和树脂层(B)组成，所述树脂层(A)包含在主链中含有稠环的光分解性树脂，所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1至500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度，
其中，所述树脂层(A)由包含树脂(A)的树脂组合物(A)的固化的产物形成，所述树脂(A)包含具有式(1)的重复单元：
其中，R1至R3各自独立地为氢，羟基或C1-C20一价有机基团，R1至R3中的至少一个为羟基，和R4为氢或任选被取代的C1-C30一价有机基团。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述树脂层(A)对于波长355nm的光具有至多20％的透射率。
3.用于制备根据权利要求1所述的半导体器件的方法，其包括以下步骤：
(a)直接在支撑体上形成树脂层(A)，
(b)在所述树脂层(A)上形成树脂层(B)，
(c)在所述树脂层(B)上形成绝缘层和在所述绝缘层中形成图案，
(d)在图案化的绝缘层上形成导电层，
(e)在所述导电层上形成镀覆抗蚀层和在所述镀覆抗蚀层中形成图案，以使在所述镀覆抗蚀层的图案特征之间的导电层暴露，
(f)在所述镀覆抗蚀层的图案特征之间的导电层的经暴露的部分上形成重布线层，
(g)除去所述镀覆抗蚀层以暴露所述导电层并除去由此经暴露的导电层，
(h)形成第二绝缘层和在第二绝缘层中形成图案以暴露所述重布线层，
(i)在所述重布线层上形成芯片层，
(j)在所述芯片层和所述第二绝缘层之间填充底部填充剂，和
(k)在所述芯片层上形成模塑树脂层。
4.层合体，其包括支撑体、在所述支撑体上形成的粘合树脂层、在所述粘合树脂层上形成的绝缘层和镀覆抗蚀层，
所述粘合树脂层由从支撑体侧依次布置的树脂层(A)和树脂层(B)组成，所述树脂层(A)包含在主链中含有稠环的光分解性树脂，所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1至500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度，
其中，所述树脂层(A)由包含树脂(A)的树脂组合物(A)的固化的产物形成，所述树脂(A)包含具有式(1)的重复单元：
其中，R1至R3各自独立地为氢，羟基或C1-C20一价有机基团，R1至R3中的至少一个为羟基，和R4为氢或任选被取代的C1-C30一价有机基团。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
