[发明专利]半导体器件、制备方法和层合体

说明书

提供了半导体器件，其包括支撑体、粘合树脂层、绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层。粘合树脂层树脂层(A)和树脂层(B)组成，所述树脂层(A)包含在其主链中含有稠环的光分解性树脂，所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1‑500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。所述半导体器件易于制造并且具有耐热加工性，容易分离所述支撑体并且有效地生产半导体封装。

相关申请的交叉引用

本非临时申请在美国法典第35卷第119节(a)款下要求在2017年3月27日于日本提交的第2017-060638号专利申请的优先权，所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体器件，用于制备它的方法和层合体。

背景技术

三维半导体封装体对于更高的密度和容量而言变得重要。三维半导体封装技术在于通过减薄半导体芯片，并将它们以多层结构堆叠，同时提供硅通孔(TSV)互连。制造这样的封装体需要以下步骤：通过研磨其中形成有半导体电路的基板的非形成电路的表面或背面将其减薄，并在背面上形成TSV和电极。在现有技术中，在研磨硅基板的背面的步骤之前，将保护胶带贴附至与待研磨的表面相对的基板表面，以防止晶片在研磨步骤期间破裂。因为保护胶带基于有机树脂膜，所以它是柔性的，但是强度和耐热性不足以承受TSV形成步骤和在背面上形成互连的步骤。

然后提出将半导体基板例如经由粘合层结合至硅或玻璃的支撑体上。所产生的体系足以承受研磨背面和在背面上形成TSV和电极的步骤。参见专利文献1和2。尽管TSV相关的技术有望成为芯片之间的高密度互连的技术，特别是将宽频带存储器连接至处理器的技术，但是因为价格昂贵，现在仅将其应用至一些有限的应用。

最近关注的是扇出型晶圆级封装(FOWLP)技术，如专利文献3中所描述。FOWLP是这样的结构的封装体：在IC芯片上形成绝缘的精细重布线层(RDL)，从而从芯片区域扇出。该封装体实现了多个芯片之间的高密度布线并且相对于常规封装体极大减小了尺寸和外形。

尤其是，研究了涉及在支撑基板上直接处理RDL形成、放置器件芯片和树脂封装的RDL-first技术，从而改进RDL与芯片对齐的准确性和应用至具有多个终端的应用处理器。RDL形成和封装之后必须剥离支撑基板。因为该技术不同于一次将支撑基板结合至半导体基板和加工半导体基板的背面的顺序，所以用于TSV形成技术中的粘合剂体系不符合该技术。

在该情况下，专利文献4公开了包括在支撑体上的含有激光分解性树脂的剥离层和光固化性树脂粘合层的结构。通过由于激光辐照的剥离层分解的热来固化粘合层。在涉及支撑体的分离、胶带的分离和溶剂清洁的方法中，并未完全除去固化的粘合层，其中固化的粘合层的残余物留在绝缘层上。

引用列表

专利文献1：JP-A 2003-177528

专利文献2：WO 2015/072418

专利文献3：JP-A 2013-058520

专利文献4：JP-A 2016-111275

发明内容

本发明的目的在于提供具有包括容易分离、耐热过程性、容易分离支撑体和半导体封装体的生产率增加的优点的半导体器件，用于制备所述半导体器件的方法，和适合于制备所述半导体器件的层合体。

发明人已发现上述和其它目的通过包括支撑体、在支撑体上的两层结构的粘合树脂层、绝缘层(用于形成重布线层)、重布线层、芯片层和模塑树脂层的半导体器件以及适合于制备所述半导体器件的层合体得以实现。