[发明专利]一种单栅石墨烯倍频器的制备方法有效
| 申请号： | 201810250000.5 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108461446B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 彭沛;王紫东;田仲政;宋建宏;李慕禅;任黎明;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H03B19/10 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在常规的源(或漏)金属和石墨烯接触的基础上插入一层不连续或是多孔连续的金属氧化薄膜构成金属/氧化层/石墨烯的接触结构，或是第二金属/第一金属/氧化层/石墨烯的接触结构，同时在石墨烯沟道上方覆盖金属、金属氧化物或是有机物等材料，得到转移特性曲线具有两个电流极小值点的石墨烯倍频器件。本发明石墨烯倍频器的三次谐波的能量或是四次谐波的能量占全部输出交流信号(基频和各次谐波)能量的比例高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 倍频器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，其特征在于，包括：1)制备绝缘电介质层/导电层的堆叠结构，其中绝缘电介质层厚度在2nm到500nm；2)将石墨烯薄膜转移到绝缘电介质层上，或是直接在绝缘电介质层上生长石墨烯薄膜，利用光刻胶图形化之后再等离子刻蚀，形成石墨烯有源区；3)制备漏和源电极，其中源和漏电极采用金属/氧化层的两层堆叠，或是第一金属/第二金属/氧化层的三层堆叠结构；或者；源或漏中的一个电极采用金属/氧化层的两层堆叠，或是第一金属/第二金属/氧化层的三层堆叠结构，另一个电极采用金属材料直接与石墨烯薄膜接触；4)在石墨烯沟道上覆盖金属、金属氧化物或有机物材料，构成石墨烯倍频器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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