[发明专利]一种单栅石墨烯倍频器的制备方法

权利要求书

1.一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，其特征在于，包括：

1)制备绝缘电介质层/导电层的堆叠结构，其中绝缘电介质层厚度在2nm到500nm；

2)将石墨烯薄膜转移到绝缘电介质层上，或是直接在绝缘电介质层上生长石墨烯薄膜，利用光刻胶图形化之后再等离子刻蚀，形成石墨烯有源区；

3)制备漏和源电极，其中源和漏电极采用金属/氧化层的两层堆叠，或是第一金属/第二金属/氧化层的三层堆叠结构；或者；源或漏中的一个电极采用金属/氧化层的两层堆叠，或是第一金属/第二金属/氧化层的三层堆叠结构，另一个电极采用金属材料直接与石墨烯薄膜接触；

4)在石墨烯沟道上覆盖金属氧化物或有机物材料，构成石墨烯倍频器，其中，金属氧化物是指岛状不连续金属氧化薄膜或是多孔连续金属氧化薄膜或是含有上述两种结构构成的混合形状金属氧化薄膜；有机物是指PMMA或PDMS构成的连续薄膜或是岛状不连续薄膜或是多孔连续薄膜。

2.如权利要求1所述的单栅石墨烯倍频器的制备方法，其特征在于，步骤2)所述石墨烯薄膜是均一的单层或多层，或者所述石墨烯薄膜是不均一的单层或多层。

3.如权利要求1所述的单栅石墨烯倍频器的制备方法，其特征在于，步骤3)所述氧化层是铝、钛、镍或钇氧化之后形成的不连续或是多孔的金属氧化薄膜，厚度小于5nm。

4.如权利要求1所述的单栅石墨烯倍频器的制备方法，其特征在于，步骤3)第二金属是粘附层，采用钛、铬或钯，厚度小于100nm。

5.如权利要求1所述的单栅石墨烯倍频器的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述金属和第一金属是惰性金属金或铂，厚度小于500微米。