[发明专利]一种声表面波芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种声表面波芯片，包括：轴向依次设置的衬底、叉指电极、保护层和吸声胶。一种声表面波芯片制作方法，其具体步骤为：第一步，掩膜版图形排版；第二步，制作叉指电极；第三步，制作保护层；第四步，基片开槽；第五步，涂覆吸声胶；第六步，吸声胶和基片切割；第七步，分片；从而完成声表面波芯片的制作。本发明工艺方法简单，可在整个基片上进行集成化的加工，通过掩膜版叉指电极图形排布控制芯片形状为平行四边形，不同的倾斜角度和不同的开槽形状使传播到芯片端面的SAW发生反射偏离原来的方向。采用先开槽再涂覆吸声胶之后切割的方法，实现了在芯片的侧边端面形成吸声胶覆盖，可吸收传播到端面的声表面波。

主权项

1.一种声表面波芯片，其特征在于包括：轴向依次设置的衬底(1)、叉指电极(2)、保护层(3)和吸声胶(4)，其中，所述衬底(1)材料为钽酸锂、铌酸锂、石英类压电晶体，衬底(1)的至少一面为抛光面，衬底(1)的厚度大于0.2mm小于1.2mm，形状为平行四边形；所述叉指电极(2)为Al、Cu类金属膜或Ti/Al、Al/Cu类复合金属膜，叉指电极(2)是通过溅射或电子束蒸发镀膜方法与光刻技术相结合并采用剥离或刻蚀工艺在所述衬底(1)材料的抛光面上制作出的指条形状的金属膜图形；所述保护层(3)为SiO2、Si3N4类非金属膜，保护层(3)是通过溅射或化学气相沉积镀膜方法与光刻技术相结合并采用剥离或刻蚀工艺在所述衬底(1)材料的抛光面上制作出的覆盖叉指电极(2)非键合区(6)的钝化层；所述叉指电极(2)的指条垂直于所述衬底(1)的两个边，所述衬底(1)的另外两个斜边与叉指电极(2)存在夹角且边缘端面设有凹槽(7)；所述吸声胶(4)覆盖所述衬底(1)的凹槽(7)和部分叉指电极(2)的非换能器(5)图形；所述凹槽(7)内设有切割道沟槽(8)，所述切割道沟槽(8)横截面宽度小于所述凹槽(7)的横截面宽度，所述切割道沟槽(8)轴向延伸至所述衬底(1)。