[发明专利]一种声表面波芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种声表面波芯片，其特征在于包括：轴向依次设置的衬底(1)、叉指电极(2)、保护层(3)和吸声胶(4)，其中，所述衬底(1)材料为钽酸锂、铌酸锂和石英中的任意一种，衬底(1)的至少一面为抛光面，衬底(1)的厚度大于0.2mm小于1.2mm，形状为平行四边形；所述叉指电极(2)为Al或Cu或者Ti/Al或Al/Cu，叉指电极(2)是通过溅射或电子束蒸发镀膜方法与光刻技术相结合并采用剥离或刻蚀工艺在所述衬底(1)材料的抛光面上制作出的指条形状的金属膜图形；所述保护层(3)为SiO2或Si3N4，保护层(3)是通过溅射或化学气相沉积镀膜方法与光刻技术相结合并采用剥离或刻蚀工艺在所述衬底(1)材料的抛光面上制作出的覆盖叉指电极(2)非键合区(6)的钝化层；所述叉指电极(2)的指条垂直于所述衬底(1)的两个边，所述衬底(1)的另外两个斜边与叉指电极(2)存在夹角且边缘端面设有凹槽(7)；所述吸声胶(4)覆盖所述衬底(1)的凹槽(7)和部分叉指电极(2)的非换能器(5)图形；所述凹槽(7)内设有切割道沟槽(8)，所述切割道沟槽(8)横截面宽度小于所述凹槽(7)的横截面宽度，所述切割道沟槽(8)轴向延伸至所述衬底(1)。

2.根据权利要求1所述的声表面波芯片，其特征在于：所述衬底(1)的斜边与所述叉指电极(2)的夹角大于5゜。

3.根据权利要求1所述的声表面波芯片，其特征在于：所述凹槽(7)采用砂轮划片工艺切割而成，凹槽(7)的横截面形状为“V”型或“U”型，凹槽(7)在横截面上的宽度大于100μm小于400μm，凹槽(7)的轴向深度大于20μm小于250μm。

4.一种声表面波芯片制作方法，其特征在于具体步骤为：

第一步 掩膜版图形排版与方阵排布方式不同，根据掩膜版叉指电极(2)排布图进行图形排布，设SAW的传播方向为X轴，垂直于SAW的传播方向为Y轴；在X轴方向将叉指电极(2)图形按照间距A进行横向直线排布，在纵向上按照间距B进行倾斜直线排布，倾斜直线与Y轴之间的夹角θ大于5゜；B的宽度大于基片横向开槽或切割时形成的包含崩边的划道宽度；A*cosθ的宽度大于基片纵向开槽或切割时形成的包含崩边的划道宽度；

第二步 制作叉指电极(2)

通过光刻、镀膜、剥离或刻蚀工艺加工压电基片，将掩膜版上的叉指电极(2)图形转移到基片抛光面上的金属层；

第三步 制作保护层(3)

通过光刻、溅射或化学气相沉积、剥离或刻蚀工艺加工压电基片，在叉指电极(2)图形上的非键合区(6)制作非金属保护层(3)；

第四步 基片开槽

采用砂轮划片机在基片表面间距A的中心沿着纵向的倾斜直线开槽，开槽深度大于20μm，且开槽深度保证基片不发生分离或碎裂，开槽造成的崩边不损伤叉指电极(2)；选择不同刀刃形状的砂轮划片刀控制开槽的形状，“V”型刀片开“V”型凹槽(7)、“U”型刀片开“U”型凹槽(7)；

第五步 涂覆吸声胶(4)

选择用砂轮划片工艺切割的吸声胶(4)，采用丝网印刷或喷胶工艺在芯片间距A和开槽后的凹槽(7)内涂覆吸声胶(4)，控制吸声胶(4)的宽度大于开槽的宽度覆盖崩边和部分叉指电极(2)的非换能器(5)图形，之后将涂覆完吸声胶(4)的基片进行烘烤固化；

第六步 吸声胶(4)和基片切割

将基片贴在蓝膜或UV膜上，选择厚度小于开槽宽度、刀刃长度大于基片厚度的砂轮划片刀，采用砂轮划片机分别沿着芯片间距A和B的中心进行切割，切割深度大于基片厚度；

第七步 分片、

采用烘烤或紫外光照射工艺降低承载膜的粘性，采用剥膜或拾取工艺将基片分成多个独立的芯片；

至此，完成了声表面波芯片的制作。