[发明专利]基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法在审
| 申请号： | 201810217899.0 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN110277445A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 沈玲燕;程新红;郑理;张栋梁;王谦;顾子悦;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于AlGaN/p‑GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法，该器件包括层叠的GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区以及GaN外延层，所述GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区及GaN外延层的晶向为a轴竖直向上；栅沟槽，穿过n型导电的GaN外延层及p型导电的GaN阱区，并延伸至n型导电的GaN漂移区内；AlGaN层，形成于栅沟槽的底部及侧壁，AlGaN层与p型导电的GaN阱区形成AlGaN/p‑GaN异质结沟道；栅介质层；栅极金属层；接触槽，接触槽中填充有金属接触层，金属接触层与GaN阱区形成欧姆接触；上电极以及下电极。本发明可有效提高沟道电子迁移率，减小器件导通电阻，同时提高阈值电压实现增强型的器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 阱区 增强型 沟道 纵向功率器件 金属接触层 接触槽 漂移区 栅沟槽 衬底 漂移 栅极金属层 导通电阻 沟道电子 欧姆接触 器件结构 竖直向上 栅介质层 阈值电压 迁移率 下电极 异质结 电极 侧壁 减小 晶向 填充 制作 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种基于AlGaN/p‑GaN沟道的增强型纵向功率器件，其特征在于，包括：GaN衬底外延结构，所述GaN衬底外延结构包含层叠的n型导电的GaN衬底、n型导电的GaN漂移区、p型导电的GaN阱区以及n型导电的GaN外延层，所述GaN衬底外延结构的晶向为a轴竖直向上；栅沟槽，形成于所述GaN衬底外延结构中，所述栅沟槽穿过所述n型导电的GaN外延层及所述p型导电的GaN阱区，并延伸至所述n型导电的GaN漂移区内；AlGaN层，形成于所述栅沟槽的底部及侧壁，所述AlGaN层与所述p型导电的GaN阱区形成AlGaN/p‑GaN异质结沟道；栅介质层，形成于所述AlGaN层表面；栅极金属层，于形成所述栅介质层上；接触槽，形成于所述GaN外延层中，所述接触槽显露所述GaN阱区，所述接触槽中填充有金属接触层，所述金属接触层与所述GaN阱区形成欧姆接触；上电极，形成于所述金属接触层及所述n型导电的GaN外延层上；以及下电极，形成于所述n型导电的GaN衬底背面。
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