[发明专利]一种闪存阵列及其参考电流产生方法有效
| 申请号： | 201810210397.5 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108346439B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C16/30;G11C16/14;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种闪存阵列及其参考电流产生方法，所述闪存阵列包括：n个存储单元子块，用于存储信息；参考单元子块，包括n个参考存储单元，用于产生各存储单元读出时的参考电流，于操作时，引入校正控制位FT_RCELL控制该参考单元子块的操作，本发明通过单独使用存储单元当作参考存储单元，在存储器主阵列即多个存储单元子块操作时不会作用到参考单元，且参考单元能追踪存储单元的变化，从而提高灵敏放大器的速度和精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 阵列 及其 参考 电流 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存阵列，包括：n个存储单元子块，用于存储信息；参考单元子块，包括n个参考存储单元，用于产生各存储单元读出时的参考电流，于操作时，引入校正控制位FT_RCELL控制该参考单元子块的操作。
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