[发明专利]三维存储器件及其制作过程的器件保护方法

摘要

本发明涉及一种器件保护方法，用于三维存储器件的制作过程，所述方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和周边区；在所述半导体结构上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述核心区和所述周边区，其中所述堆叠层具有交替堆叠的第一材料层和第二材料层，且最顶层和最底层为第一材料层；以及刻蚀所述核心区的所述堆叠层中最底层以上的层以形成第一阶梯结构，且去除所述周边区的所述堆叠层中最底层以上的层，保留所述最底层作为器件保护层。所述器件保护方法可以在核心区的后续工艺中保护周边区的器件不受核心区的反应气体的渗透。

主权项

1.一种器件保护方法，用于三维存储器件的制作过程，所述方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和周边区；在所述半导体结构上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述核心区和所述周边区，其中所述堆叠层具有交替堆叠的第一材料层和第二材料层，且最顶层和最底层为第一材料层，位于所述核心区的第一材料层用于替换为所述三维存储器件的导体层；以及刻蚀所述核心区的所述堆叠层中最底层以上的层以形成第一阶梯结构，且去除所述周边区的所述堆叠层中最底层以上的层，保留所述最底层作为器件保护层。