[发明专利]一种叠层式多晶硅场效应晶体管器件的制造方法在审
| 申请号： | 201810200345.X | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108493112A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张睿;曾思雨;赵毅 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/04;H01L29/10;H01L29/16 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种叠层式多晶硅场效应晶体管器件的制造方法。首先在绝缘衬底上依次交替沉积隔离层薄膜和非晶硅薄膜，形成隔离层薄膜和非晶硅薄膜的叠层结构；其次刻蚀隔离层薄膜和非晶硅薄膜形成器件的沟道区域，并在沟道区域两侧沉积重掺杂非晶硅形成器件的源漏区域；然后通过退火使沟道区域和源漏区域中的非晶硅结晶转变为多晶硅，并刻蚀除去隔离层薄膜；最后在沟道区域和源漏区域表面依次沉积栅绝缘层和金属栅层，并通过刻蚀栅绝缘层和金属栅层形成栅极区域，最终形成叠层式多晶硅场效应晶体管器件。本发明具有驱动电流大、器件尺寸小、与现有多晶硅场效应晶体管制造工艺兼容等优势，在柔性电子、透明显示和屏上系统等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 沟道区域 隔离层 场效应晶体管器件 薄膜 非晶硅薄膜 源漏区域 叠层 金属栅层 刻蚀 绝缘层 场效应晶体管 沉积栅绝缘层 退火 非晶硅结晶 叠层结构 交替沉积 驱动电流 柔性电子 透明显示 栅极区域 制造工艺 非晶硅 刻蚀栅 重掺杂 沉积 衬底 绝缘 制造 兼容 应用 | ||
【主权项】：
1.一种叠层式多晶硅场效应晶体管器件的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)在绝缘衬底上依次交替沉积隔离层薄膜和非晶硅薄膜，形成隔离层薄膜和非晶硅薄膜的叠层结构；(2)刻蚀隔离层薄膜和非晶硅薄膜形成器件的沟道区域，并在沟道区域两侧沉积重掺杂非晶硅形成器件的源漏区域；(3)通过退火使沟道区域和源漏区域中的非晶硅结晶转变为多晶硅，并刻蚀除去隔离层薄膜；(4)在沟道区域和源漏区域表面依次沉积栅绝缘层和金属栅层，并通过刻蚀栅绝缘层和金属栅层形成栅极区域，最终形成叠层式多晶硅场效应晶体管器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810200345.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件制造方法
- 下一篇：一种低电阻抗辐照VDMOS芯片的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
