[发明专利]一种铁掺杂的两相硫化镍纳米阵列材料、其制备方法及用途有效
| 申请号： | 201810191412.6 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108396329B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 孙晓明;李鹏松;邝允 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C25B11/04 | 分类号： | C25B11/04;C25B1/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 杨兵 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁掺杂的两相硫化镍纳米阵列材料，包括导电基底材料和生长于导电基底材料上的铁掺杂的两相硫化镍纳米阵列结构材料。本发明还公开了所述铁掺杂的两相硫化镍纳米阵列材料的制备方法和其用于电解水析氧的阳极材料的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 两相 硫化 纳米 阵列 材料 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种铁掺杂的两相硫化镍纳米阵列材料，其特征在于，包括导电基底材料和生长于导电基底材料上的铁掺杂的两相硫化镍纳米阵列结构材料。
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