[发明专利]一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法有效
| 申请号： | 201810195135.6 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108396330B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;丁玉岳;闫术芳;孙小华;孙盼盼 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B1/04;C01G51/00;C01G39/06;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，将生长有四氧化三钴阵列的基底，于Ar+S气氛中或N |
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| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 纳米 硫化 原位 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的原位阵列电极为硫化钴纳米针与二硫化钼纳米片的复合电极，具体制备方法为：（1）将生长有四氧化三钴阵列的基底，于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化，获得硫化钴纳米针阵列电极；（2）将氯化钼溶于挥发非水溶剂，并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面，干燥待用；（3）再将第（2）步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经第二次硫化，随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。
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