[发明专利]电可编程熔丝结构以及半导体器件有效

专利信息
申请号: 201810189694.6 申请日: 2018-03-08
公开(公告)号: CN108493182B 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 陈面国 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;H01L27/115
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种电可编程熔丝结构以及半导体器件。由于电可编程熔丝结构中其阴极具有多个可实现电子流分流的导电分支,从而使阴极能够允许较大的电子流,因此可相应的增加其与熔丝链在连接点处的电子流梯度,有利于提高熔丝链在连接点处的电迁移率。并且,多个导电分支还可加快阴极的散热效率以降低阴极的温度,从而可增加阴极和熔丝链在连接点处的温度梯度,在较大的温度梯度的加成作用下进一步提高了熔丝链在连接点处的电迁移率,使熔丝链能够在电迁移的作用下熔断并避免熔丝链发生爆裂的问题。
搜索关键词: 熔丝链 阴极 连接点处 电可编程熔丝 电迁移 半导体器件 导电分支 温度梯度 熔断 散热效率 爆裂 加成 分流
【主权项】:
1.一种电可编程熔丝结构,其特征在于,包括一阴极、一熔丝链和一阳极,所述阴极和所述阳极经由所述熔丝链相互连接,并且所述阴极和所述熔丝链在一连接点处相互连接;其中,所述阴极包含多条导电分支,以排列出一收敛侧和一发散侧,所述阴极的所述收敛侧连接至所述连接点以和所述熔丝链连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810189694.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top