[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810188894.X | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110246803A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 林猷颖;叶怡良;蔡松蒝;游峻伟;王俞仁;吴振;林泰言 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法，其主要先形成一第一栅极结构于基底上，然后进行第一蚀刻制作工艺以于第一栅极结构旁形成一凹槽，进行一离子注入制作工艺以形成一非晶层于凹槽正下方，进行第二蚀刻制作工艺去除该非晶层，再形成一外延层于凹槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体元件 蚀刻制作工艺 栅极结构 非晶层 制作 制作工艺 外延层 基底 去除 离子 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成一第一栅极结构于一基底上；进行一第一蚀刻制作工艺以于该第一栅极结构旁形成一凹槽；进行一离子注入制作工艺以形成一非晶层于该凹槽正下方；进行一第二蚀刻制作工艺去除该非晶层；以及形成一外延层于该凹槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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