[发明专利]图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201810169553.8 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108364968B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吕相南;北村阳介;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/71 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及图形传感器及其制造方法。本公开涉及一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：衬底，包括形成在所述衬底中的多个辐射感测单元；第一电介质层，形成在所述衬底上，其中所述第一电介质层为单层或者多层结构；多个滤色器，形成在所述第一电介质层上并且对应地设置在所述多个辐射感测单元上方；以及第一分隔部，形成在所述多个滤色器之间以用于防止辐射串扰，其中，所述第一分隔部从基准面起向上延伸，所述基准面位于所述第一电介质层的上表面和下表面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：衬底，包括形成在所述衬底中的多个辐射感测单元；第一电介质层，形成在所述衬底上，其中所述第一电介质层为单层或者多层结构；多个滤色器，形成在所述第一电介质层上并且对应地设置在所述多个辐射感测单元上方；以及第一分隔部，形成在所述多个滤色器之间以用于防止辐射串扰，其中，所述第一分隔部从基准面起向上延伸，所述基准面位于所述第一电介质层的上表面和下表面之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
