[发明专利]图像传感器及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201810160662.3 申请日: 2018-02-27
公开(公告)号: CN108336103B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 吕相南;北村陽介;黄晓橹 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市一法律师事务所 11654 代理人: 刘荣娟
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:半导体衬底;位于半导体衬底内的吸收绿光的光电二极管、吸收蓝光的光电二极管、吸收红光的光电二极管及垂直电荷转移层,吸收绿光的光电二极管、吸收红光的光电二极管和垂直电荷转移层间隔分布,吸收蓝光的光电二极管位于吸收红光的光电二极管上且延伸至覆盖垂直电荷转移层;位于半导体衬底上的平坦化层;位于平坦化层上的滤光层和微透镜,滤光层包括绿色滤光器、品红滤光器和蓝色滤光器,绿色滤光器下对应有吸收绿光的光电二极管,品红滤光器下对应有吸收红光的光电二极管,蓝色滤光器下对应有垂直电荷转移层。本发明避免了光对垂直电荷转移层的串扰且提高了图像传感器的透光面积。
搜索关键词: 图像传感器 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底内的吸收绿光的光电二极管、吸收蓝光的光电二极管、吸收红光的光电二极管及垂直电荷转移层,其中,所述吸收绿光的光电二极管、吸收红光的光电二极管和垂直电荷转移层间隔分布,所述吸收蓝光的光电二极管位于所述吸收红光的光电二极管上且延伸至覆盖所述垂直电荷转移层;位于所述半导体衬底上的平坦化层;位于所述平坦化层上的滤光层和微透镜,其中,所述滤光层包括绿色滤光器、品红滤光器和蓝色滤光器,所述绿色滤光器下对应有所述吸收绿光的光电二极管,所述品红滤光器下对应有所述吸收红光的光电二极管,所述蓝色滤光器下对应有所述垂直电荷转移层。
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