[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
申请号: | 201810160662.3 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN108336103B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 吕相南;北村陽介;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:半导体衬底;位于半导体衬底内的吸收绿光的光电二极管、吸收蓝光的光电二极管、吸收红光的光电二极管及垂直电荷转移层,吸收绿光的光电二极管、吸收红光的光电二极管和垂直电荷转移层间隔分布,吸收蓝光的光电二极管位于吸收红光的光电二极管上且延伸至覆盖垂直电荷转移层;位于半导体衬底上的平坦化层;位于平坦化层上的滤光层和微透镜,滤光层包括绿色滤光器、品红滤光器和蓝色滤光器,绿色滤光器下对应有吸收绿光的光电二极管,品红滤光器下对应有吸收红光的光电二极管,蓝色滤光器下对应有垂直电荷转移层。本发明避免了光对垂直电荷转移层的串扰且提高了图像传感器的透光面积。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底内的吸收绿光的光电二极管、吸收蓝光的光电二极管、吸收红光的光电二极管及垂直电荷转移层,其中,所述吸收绿光的光电二极管、吸收红光的光电二极管和垂直电荷转移层间隔分布,所述吸收蓝光的光电二极管位于所述吸收红光的光电二极管上且延伸至覆盖所述垂直电荷转移层;位于所述半导体衬底上的平坦化层;位于所述平坦化层上的滤光层和微透镜,其中,所述滤光层包括绿色滤光器、品红滤光器和蓝色滤光器,所述绿色滤光器下对应有所述吸收绿光的光电二极管,所述品红滤光器下对应有所述吸收红光的光电二极管,所述蓝色滤光器下对应有所述垂直电荷转移层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810160662.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的