[发明专利]一种具有复合栅的IGBT芯片制作方法

摘要

本发明公开了一种具有复合栅的IGBT芯片制作方法，包括：在晶圆基片上形成第一氧化层；对第一氧化层上的第一预设位置以及与第一预设位置下方对应的晶圆基片进行刻蚀，形成沟槽；然后再刻蚀去除第一氧化层，并在晶圆基片表面和在沟槽内表面形成第二氧化层；在沟槽内填充多晶硅，并在第二氧化层上形成多晶硅层，沟槽内的多晶硅与多晶硅层相连为一体形成多晶硅体；对多晶硅层上的第三预设位置进行刻蚀，使得多晶硅体分成平面栅极和带辅助栅的沟槽栅极。本发明方法制作出的具有复合栅的IGBT芯片，既具有平面栅耐压性较好的优点，同时也具有沟槽栅提高元胞密度从而大幅度提升芯片电流密度的优点。

主权项

1.一种具有复合栅的IGBT芯片制作方法，包括：在晶圆基片的上表面形成第一氧化层；对所述第一氧化层上的第一预设位置以及与所述第一预设位置下方对应的所述晶圆基片进行刻蚀，形成沟槽；对所述第一氧化层上的第二预设位置进行刻蚀，形成源极窗口；将N型杂质注入到所述源极窗口对应的晶圆基片中，并使其扩散第一结深形成N阱；将P型杂质注入到所述源极窗口对应的N阱中，并使其扩散第二结深形成P阱；去除剩余的所述第一氧化层，并在所述晶圆基片的上表面和所述沟槽内表面形成第二氧化层；在所述沟槽内填充多晶硅，并在裸露的所述第二氧化层上形成多晶硅层，所述沟槽内的多晶硅和所述多晶硅层相连为一体形成多晶硅体；对所述多晶硅层上的第三预设位置进行刻蚀，裸露出对应位置的所述第二氧化层，使得所述多晶硅体分成平面栅极和带辅助子栅的沟槽栅极。