[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810149603.6 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN109427814B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 吴星来;金东赫;成象铉;郑盛薰;丁寿男 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置。一种半导体存储装置包括：外围电路元件，其设置在下基板上方；上基板，其设置在部分覆盖所述外围电路元件的层间介电层上方；存储单元阵列，其包括在垂直于所述上基板的顶表面的第一方向上延伸的沟道结构以及堆叠在所述上基板上方以围绕所述沟道结构的多条栅极线；和多个晶体管，其将所述栅极线电联接到所述外围电路元件。所述晶体管包括：栅极，所述栅极设置在所述层间介电层上方并且设置为在所述第一方向上与所述存储单元阵列交叠；多个垂直沟道，所述多个垂直沟道在所述第一方向上穿过所述栅极并且分别电联接到所述栅极线；和栅极介电层，所述栅极介电层设置在所述垂直沟道和所述栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：外围电路元件，所述外围电路元件设置在下基板上方；上基板，所述上基板设置在部分覆盖所述外围电路元件的层间介电层上方；存储单元阵列，所述存储单元阵列包括在垂直于所述上基板的顶表面的第一方向上延伸的沟道结构以及堆叠在所述上基板上方以围绕所述沟道结构的多条栅极线；以及多个晶体管，所述多个晶体管将所述栅极线电联接到所述外围电路元件，所述晶体管包括：栅极，所述栅极设置在所述层间介电层上方并且被设置为在所述第一方向上与所述存储单元阵列交叠；多个垂直沟道，所述多个垂直沟道在所述第一方向上穿过所述栅极并且分别电联接到所述栅极线；以及栅极介电层，所述栅极介电层被设置在所述垂直沟道和所述栅极之间。
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