[发明专利]制造半导体装置的方法与半导体存储器装置

摘要

本发明提供了一种制造半导体装置的方法与半导体存储器装置。其中，该方法涉及管理例如非易失性存储器装置的半导体装置的栅极耦合的方法。所述方法包含：在半导体基底上提供导电层，导电层包含下部导电层及上部导电层，下部导电层包含第一材料且上部导电层包含具有不同于第一材料的至少一个特性的第二材料，在导电层上形成保护图案，以及通过控制刻蚀工艺刻蚀穿过导电层以获得单独的分离的栅极，以使得第一材料在刻蚀工艺期间具有高于第二材料的刻蚀速率，栅极中的每一者包含上部栅极及下部栅极，下部栅极在刻蚀工艺之后具有小于上部栅极的宽度。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体基底上提供导电层，所述导电层包括下部导电层及上部导电层，所述下部导电层包含第一材料，且所述上部导电层包含具有不同于所述第一材料的至少一个特性的第二材料；在所述导电层上形成保护图案；以及通过控制刻蚀工艺来刻蚀穿过所述导电层以获得单独的分离的栅极，以使得所述第一材料在所述刻蚀工艺期间具有高于所述第二材料的刻蚀速率，所述栅极中的每一者包含上部栅极及下部栅极，在所述刻蚀工艺之后所述下部栅极具有小于所述上部栅极的宽度。