[发明专利]一种内延生长[153]取向Ta3N5自支撑薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810146388.4 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108409332B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 黄柏标;李慧亮;王泽岩;张晓阳;秦晓燕;王朋;刘媛媛;张倩倩 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张晓鹏 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种内延生长[153]取向Ta |
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| 搜索关键词： | 一种 生长 153 取向 ta3n5 支撑 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内延生长[153]取向Ta3N5自支撑薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：将清洗后的[100]取向KTaO3单晶晶片放入炉内，在CCl4和NH3的混合气氛中煅烧设定时间后，制得自支撑的[153]取向Ta3N5薄膜。
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