[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201810130900.6 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108666225B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 柳生祐贵;磯崎诚也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及制造半导体装置的方法。为了提供具有改进的可靠性的半导体装置。制造半导体装置的方法包括：将由铜组成的导线与在半导体芯片的焊盘电极上形成的导电层连接，对半导体芯片进行热处理，以及然后用树脂密封半导体芯片和导线。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供具有半导体芯片的半导体晶片，包括：半导体基板，焊盘电极，在所述半导体基板之上形成，以及导电层，包括：第一层，由镍层组成并且在所述焊盘电极之上形成，以及第二层，由金层组成并且在第一层之上形成；(b)将由铜组成的导线与所述导电层连接；(c)在步骤(b)之后，对所述半导体芯片执行第一热处理；以及(d)在步骤(c)之后，用树脂密封所述半导体芯片和所述导线，并且形成密封体，其中，第二层的主表面具有第一区域以及除第一区域以外的第二区域，所述导线接合到第一区域，以及其中，在第二区域中，所述密封体与第二层的主表面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810130900.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件、制备方法和层合体
- 下一篇：改进型半导体整流桥生产工艺流程
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
