[发明专利]制造半导体装置的方法有效

申请号：	201810130900.6	申请日：	2018-02-09
公开（公告）号：	CN108666225B	公开（公告）日：	2023-09-15
发明（设计）人：	柳生祐贵;磯崎诚也	申请（专利权）人：	瑞萨电子株式会社
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488
代理公司：	中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038	代理人：	欧阳帆
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	制造半导体装置方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本公开涉及制造半导体装置的方法。为了提供具有改进的可靠性的半导体装置。制造半导体装置的方法包括：将由铜组成的导线与在半导体芯片的焊盘电极上形成的导电层连接，对半导体芯片进行热处理，以及然后用树脂密封半导体芯片和导线。

相关申请的交叉引用

于2017年3月27日提交的日本专利申请No.2017-061806的公开内容(包括说明书、附图和摘要)的全部通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及制造半导体装置的方法。具体地，本发明涉及在应用于制造半导体装置的方法时有效的技术，所述方法包括将铜线经由导电层与焊盘电极的表面连接。

背景技术

日本未经审查的专利申请公开No.2014-187073(专利文献1)公开了在由Al-Cu合金膜制成的焊盘电极上形成镀膜、将铜线连接到镀膜并由此将焊盘电极与铜线电连接的技术。镀膜由作为下层的OPM膜OP1和作为上层的OPM膜OP2组成。作为OPM膜OP1，公开了Ni膜、Ti膜、Cr膜等，以及作为OPM膜OP2，公开了Pd膜、Au膜等。

日本未经审查的专利申请公开No.2008-311316(专利文献2)涉及在其上具有由难熔金属制成的金属化层的陶瓷基板上安装半导体芯片并经由导线将半导体芯片与金属化层连接的技术。该文献公开了在形成在金属化层上的镍镀层和金镀层之间插入防扩散镀层并由此改进导线的连接强度的技术。

[专利文献1]日本未经审查的专利申请公开No.2014-187073

[专利文献2]日本未经审查的专利申请公开No.2008-311316

发明内容

本发明的发明人已经研究了通过用树脂密封具有焊盘电极的半导体芯片而获得的半导体装置。半导体装置的输入/输出端子经由导线与半导体芯片的焊盘电极电连接。这种导线经由在焊盘电极上形成的、由金属制成的导电层与焊盘电极电连接。

期望上述半导体装置具有改进的可靠性。

根据本文的描述和附图，其它问题和新颖的特征将是清楚的。

根据一个实施例的制造半导体装置的方法包括：将由铜组成的导线与在半导体芯片的焊盘电极上形成的导电层连接，对半导体芯片进行热处理，以及然后用树脂密封半导体芯片和导线。

根据一个实施例，能够提供具有改进的可靠性的半导体装置。

附图说明

图1是本实施例的半导体装置的平面图；

图2是沿图1的线A-A截取的截面图；