[发明专利]一种对过渡金属硫族化物进行光学简并掺杂的方法及其应用

摘要

本发明公开了一种对过渡金属硫族化物进行光学简并掺杂的方法及其应用，通过在二维材料表面电子束蒸发沉积金纳米层，并在高温退火处理后在TMDc材料表面形成润湿性良好的金纳米薄膜。在紫外光的辐照下，金纳米层的电子由于外光电效应溢出并注入到半导体层，多余的电子对半导体形成了稳定的N型掺杂。在撤除紫外光照后，光生的富余电子仍保留在材料内，使得这种掺杂方式具有长期稳定性，同时，这种方法具有普适性，能应用于多种N型的TMDc材料。这种快速，简便，通用，稳定的掺杂新方法为二维半导体材料的研究打开了新的思路。

主权项

1.一种对过渡金属硫化物进行光学简并掺杂的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将纳米厚度的过渡金属硫化物薄片转移到基底上；步骤2，在步骤1所得器件上沉积金纳米层；步骤3，将步骤2得到的器件进行退火处理，自室温20℃～25℃起始以5～15℃/min的速度进行升温至300℃～400℃，保温20～40分钟后，自然冷却至室温。