[发明专利]一种对过渡金属硫族化物进行光学简并掺杂的方法及其应用

权利要求书

1.一种对过渡金属硫化物进行光学简并掺杂的方法制备得到的电器件，其特征在于，通过以下步骤制备：

步骤1，将纳米厚度的过渡金属硫化物薄片转移到基底上；

步骤2，在步骤1所得器件上沉积金纳米层；

步骤3，将步骤2得到的器件进行退火处理，自室温20℃~25℃起始以5~15℃/min的速度进行升温至300℃~400℃，保温20~40分钟后，自然冷却至室温；

所述电器件具有金-过渡金属氧化物-过渡金属硫化物形成的MIS结构，所述步骤1中的过渡金属硫化物为MoS₂、ReS₂或MoSe₂。

2.如权利要求1所述的电器件，其特征在于，所述步骤1中过渡金属硫化物的厚度为10-50nm。

3.如权利要求1所述的电器件，其特征在于，所述步骤2中金纳米层的厚度为3-10nm。

4.如权利要求1所述的电器件，其特征在于，所述步骤1中的过渡金属硫化物薄片通过干法转移方式复合在基底上。

5.如权利要求1所述的电器件，其特征在于，所述步骤1中的基底为重掺杂硅或二氧化硅基底。

6.如权利要求1所述的电器件，其特征在于，所述步骤2中的金纳米层是通过电子束蒸发方式沉积在步骤1所得器件上的， 具体步骤为，在金属蒸发仪器中利用电子束轰击99.999%纯度的金使其达到融化温度，薄膜沉积速度为在0.1~0.3 。

7.如权利要求1所述的电器件在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述电器件进行紫外光照之后，电流转移特性曲线较其未经紫外光照时的基态表现出更强的N型掺杂特点，其关断电流较基态光断电流上升了两个~四个数量级，所述电器件进行紫外光照之后，其栅极调制开关比为基态的2~10倍，面电子浓度达到了10¹³~10¹⁴每平方厘米。