[发明专利]一种光电探测材料在紫外光探测上的应用有效
| 申请号： | 201810117998.1 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110120439B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘晶;张荣杰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/113 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，所述光电探测材料按照以下方法制备：步骤1，将纳米厚度的过渡金属硫族化物薄片转移到基底上；步骤2，在步骤1所得器件上沉积金纳米层；步骤3，将步骤2得到的器件进行退火处理，自室温20℃～25℃起始以5～15℃/min的速度进行升温至300℃～400℃，保温20～40分钟后，自然冷却至室温得到光电探测材料；所述光电探测材料在紫外光照射后，其电流从基态的纳安级别上升到微安级，并能在紫外光关闭后微安级电流值保持达15～20天，再放在去离子水中清洗后干燥，其电学性质重新到基态，并且所述光电探测材料可循环重复此过程。本发明灵敏度高，响应时间短的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测 材料 紫外光 应用 | ||
【主权项】：
1.一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述光电探测材料按照以下方法制备：步骤1，将纳米厚度的过渡金属硫化物薄片转移到基底上；步骤2，在步骤1所得器件上沉积金纳米层；步骤3，将步骤2得到的器件进行退火处理，自室温20℃～25℃起始以5～15℃/min的速度进行升温至300℃～400℃，保温20～40分钟后，自然冷却至室温得到光电探测材料；所述光电探测材料在紫外光照射后，其电流从基态的纳安级别上升到微安级，并能在紫外光关闭后微安级电流值保持达15～20天，再放在去离子水中清洗后干燥，其电学性质重新到基态，并且所述光电探测材料可循环重复此过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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