[发明专利]一种光电探测材料在紫外光探测上的应用

权利要求书

1.一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述光电探测材料按照以下方法制备：

步骤1，将纳米厚度的过渡金属硫族化合物薄片转移到基底上，所述过渡金属硫族化合物为MoS₂、ReS₂或MoSe₂；

步骤2，在步骤1所得器件上沉积金纳米层；

步骤3，将步骤2得到的器件进行退火处理，自室温20℃～25℃起始以5～15℃/min的速度进行升温至300℃～400℃，保温20～40分钟后，自然冷却至室温得到光电探测材料；

所述光电探测材料在紫外光照射后，其电流从基态的纳安级别上升到微安级，并能在紫外光关闭后微安级电流值保持达15～20天，再放在去离子水中清洗后干燥，其电学性质重新到基态，并且所述光电探测材料可循环重复此过程。

2.如权利要求1所述的一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述步骤1中过渡金属硫族化合物薄片的面积为100-500平方微米，所述基底的面积为3-4平方厘米。

3.如权利要求1所述的一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述步骤1中的基底为重掺杂硅或二氧化硅基底。

4.如权利要求1所述的一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述步骤1中的过渡金属硫族化合物薄片通过干法转移方式复合在基底上。

5.如权利要求1所述的一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述步骤2中金纳米层的厚度为3-10nm。

6.如权利要求1所述的一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述步骤2中的金纳米层是通过电子束蒸发方式沉积在步骤1所得器件上的，具体步骤为，在金属蒸发仪器中利用电子束轰击99.999％纯度的金使其达到融化温度，薄膜沉积速度为在

7.如权利要求1所述的一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述紫外光照时间为5～10s。

8.如权利要求1所述的一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述干燥方式为氮气吹干。

9.如权利要求1所述的一种光电探测材料在紫外光探测上的应用，其特征在于，所述步骤1中过渡金属硫族化合物的厚度为10-50nm。