[发明专利]氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件有效
| 申请号： | 201810110148.9 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108461591B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杜尚儒;杨亚谕;刘家呈;张宗正 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件，该氮化物半导体外延叠层结构包含一硅基板；一含铝成核层，配置于前述硅基板上；一缓冲结构，配置于前述含铝成核层上，依序包含：一第一超晶格外延结构；一第一氮化镓系厚层，配置于前述第一超晶格外延结构上；一第二超晶格外延结构，配置于前述第一氮化镓系厚层上；及一第二氮化镓系厚层，配置于前述第二超晶格外延结构上；一通道层，配置于前述缓冲结构上；一阻挡层，配置于前述通道层上；及一二维电子气层，位于邻近前述通道层与前述阻挡层间的一界面；其中，该第一氮化镓系厚层及该第二氮化镓系厚层的总厚度大于两微米。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 外延 结构 及其 功率 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体外延叠层结构，其特征在于，包含：硅基板；含铝成核层，配置于该硅基板上；缓冲结构，配置于该含铝成核层上，依序包含：第一超晶格外延结构；第一氮化镓系厚层，配置于该第一超晶格外延结构上；第二超晶格外延结构，配置于该第一氮化镓系厚层上；以及第二氮化镓系厚层，配置于该第二超晶格外延结构上；通道层，配置于该缓冲结构上；阻挡层，配置该通道层上；以及二维电子气层，位于邻近该通道层与该阻挡层间的一界面；其中，该第一氮化镓系厚层及该第二氮化镓系厚层的总厚度大于两微米。
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