[发明专利]一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201810106547.8 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108394857A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 康云龙;王现英 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法，通过外延方法在衬底上外延生长GaN结构薄膜；在上述薄膜上生长掩膜层，并将掩膜层制备成相应的图案；在GaN结构薄膜中形成侧壁陡峭的纳米结构；刻蚀所述的侧壁陡峭的纳米结构，形成侧壁光滑排列规则的纳米线阵列；在所得的GaN纳米线阵列上进行二次生长，获得核壳纳米线阵列。通过本发明的方法获得了侧壁光滑、长径比可控的核壳GaN纳米线阵列。本发明的方法简单易行，适合规模化制备。制备所得核壳纳米线阵列可广泛应用于光电子器件和微电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线阵列 制备 侧壁 核壳 核壳纳米线 结构薄膜 纳米结构 掩膜层 光滑 陡峭 光电子器件 微电子器件 二次生长 排列规则 外延生长 长径比 规模化 可控的 衬底 刻蚀 薄膜 图案 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）通过外延方法在衬底上外延生长GaN结构薄膜；2）在上述薄膜上生长掩膜层，并将掩膜层制备成相应的图案；3）在GaN结构薄膜中形成侧壁陡峭的纳米结构；4）刻蚀所述的侧壁陡峭的纳米结构，形成侧壁光滑排列规则的纳米线阵列；5）在步骤4）所得的GaN纳米线阵列上进行二次生长，获得核壳纳米线阵列。
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