[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201810094298.5 申请日: 2018-01-30
公开(公告)号: CN109509502B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 沙納德·布什納克;桥本寿文 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供一种能够缩短数据读出所需要的时间的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备:字线及配线,能够经由传输晶体管而电连接;第1升压电路,能够将输出电压升压至第1电压;第1传输电路,能够将所述第1升压电路与所述配线之间电连接;以及控制部。所述配线将所述第1传输电路与所述传输晶体管之间电连接。所述控制部在读出动作时,经由所述第1传输电路将所述第1升压电路与所述配线之间电连接,且使所述第1升压电路的向所述第1电压的升压开始,在所述字线为非选择的情况下,维持所述第1升压电路与所述配线之间的电连接。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于具备:字线及配线,能够经由传输晶体管而电连接;第1升压电路,能够将输出电压升压至第1电压;第1传输电路,能够将所述第1升压电路与所述配线之间电连接;以及控制部;且所述配线将所述第1传输电路与所述传输晶体管之间电连接,所述控制部在读出动作时,经由所述第1传输电路将所述第1升压电路与所述配线之间电连接,且使所述第1升压电路的向所述第1电压的升压开始,在所述字线为非选择的情况下,维持所述第1升压电路与所述配线之间的电连接。
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