[发明专利]一种制备大尺寸Zn4 有效
| 申请号： | 201810088200.5 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108221052B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 周玉兰;林哲帅;吴少凡;王帅华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/02 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种制备大尺寸Zn |
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| 搜索关键词： | 一种 制备 尺寸 zn base sub | ||
【主权项】：
1.一种制备大尺寸Zn4B6O13单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：a)将含有锌元素和硼元素的原料置于250℃～350℃，保持3～5天后，冷却至0～40℃，得到前驱体I；b)步骤a)所得前驱体I经研磨后，置于550℃～650℃，保持5～7天，冷却至0～40℃，得到前驱体II；c)将步骤b)所得前驱体II经研磨后，置于750℃～850℃，保持10～20天，得到多晶料；d)将步骤c)所得多晶料置于1050～1200℃熔化后，静置0.5～2天，搅拌2～4天后得到熔体；e)将步骤d)所得熔体降温至990℃～960℃，用籽晶尝试法确定晶体生长的饱和温度后，将温度调至饱和温度以上20～40℃，将籽晶杠与熔体接触，恒温100～160分钟后，降温至饱和温度恒温2～7天进行晶体初期生长；f)晶体初期生长结束后，采用熔盐法晶体生长工艺进行晶体生长；g)晶体生长结束后，提起籽晶杆脱离熔体，以20～40℃/h的速率降至0～40℃，即得大尺寸Zn4B6O13单晶。
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