[发明专利]功率晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种功率晶体管及其制造方法，所述晶体管包括衬底、外延层、第一至第三导体层以及第一至第三绝缘层。衬底具有有源区以及终端区。外延层配置于衬底上，且外延层中具有分别位于有源区以及终端区的第一沟槽以及第二沟槽。第一导体层配置在所述第一沟槽中。第二导体层配置在所述第二沟槽中。第三导体层配置于第一沟槽中且位于第一导体层上。第一绝缘层配置于第一导体层与外延层之间。第二绝缘层配置于第二导体层与外延层之间。第三绝缘层配置于第一导体层与第三导体层之间。此外，第一导体层的顶面低于第二导体层的顶面。

主权项

1.一种功率晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有有源区以及终端区；外延层，配置在所述衬底上，所述外延层中具有分别位在所述有源区以及所述终端区的第一沟槽以及第二沟槽；第一导体层，配置在所述第一沟槽中；第二导体层，配置在所述第二沟槽中；第三导体层，配置在所述第一沟槽中且位在所述第一导体层上；第一绝缘层，配置在所述第一导体层与所述外延层之间；第二绝缘层，配置在所述第二导体层与所述外延层之间；以及第三绝缘层，配置在所述第一导体层与所述第三导体层之间，其中所述第一导体层的顶面低于所述第二导体层的顶面。