[发明专利]功率晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种功率晶体管，其特征在于，包括：

衬底，具有有源区以及终端区；

外延层，配置在所述衬底上，所述外延层中具有分别位在所述有源区以及所述终端区的第一沟槽以及第二沟槽，且所述外延层具有第二导电型的主体层；

第一导体层，配置在所述第一沟槽中；

第二导体层，配置在所述第二沟槽中；

第三导体层，配置在所述第一沟槽中且位在所述第一导体层上；

第一绝缘层，配置在所述第一导体层与所述外延层之间，所述第一绝缘层的顶面实质上齐平于所述第三导体层的底面，而所述第一绝缘层的所述顶面低于所述外延层的顶面且高于所述主体层的底面；

第二绝缘层，配置在所述第二导体层与所述外延层之间；以及

第三绝缘层，配置在所述第一导体层与所述第三导体层之间，

其中所述第一导体层的顶面低于所述第二导体层的顶面。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，所述第三绝缘层的宽度同于所述第一导体层的宽度。

3.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，所述第三绝缘层与所述第一绝缘层接触。

4.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，还包括绝缘部，其配置在所述第三绝缘层与所述第三导体层之间。

5.根据权利要求4所述的功率晶体管，其特征在于，所述绝缘部的致密度小于所述第三绝缘层的致密度。

6.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，还包括介电层，其配置在所述第三导体层与所述外延层之间。

7.一种功率晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，配置在所述衬底上，所述外延层中具有第一沟槽，且所述外延层具有第二导电型的主体层；

第一电极，配置在所述第一沟槽中；

第二电极，配置在所述第一沟槽中且位在所述第一电极上；

第一绝缘层，配置在所述第一电极与所述外延层之间，所述第一绝缘层的顶面实质上齐平于所述第二电极的底面，而所述第一绝缘层的所述顶面低于所述外延层的顶面且高于所述主体层的底面；以及

栅间绝缘层，配置在所述第一电极与所述第二电极之间且与所述第一绝缘层接触，

其中所述第一绝缘层的致密度实质上相同于所述栅间绝缘层的致密度。

8.根据权利要求7所述的功率晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层的顶面实质上齐平于所述栅间绝缘层的顶面。

9.根据权利要求7所述的功率晶体管，其特征在于，所述第一沟槽具有实质上垂直的侧壁。

10.一种功率晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有有源区以及终端区；

在所述有源区以及所述终端区的所述衬底上形成外延层；

分别在所述有源区以及所述终端区的所述外延层中形成第一沟槽以及第二沟槽；

在所述第一沟槽的表面上形成第一绝缘层以及在所述第二沟槽的表面上形成第二绝缘层；

在所述第一沟槽中的所述第一绝缘层上形成第一导体层以及在所述第二沟槽中的所述第二绝缘层上形成第二导体层，其中所述第一导体层的顶面低于所述第二导体层的顶面；

在所述第一导体层上形成第三绝缘层以及在所述第二导体层上形成第四绝缘层；

在所述第三绝缘层上形成绝缘部；

移除至少部分所述绝缘部以及部分所述第一绝缘层，以在所述有源区的所述外延层中形成开口；以及

在所述开口中形成第三导体层。