[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810083321.0 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108417557B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 菅长利文 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是改善半导体器件的操作特性。半导体器件具有形成在半导体衬底上方的接触插塞、耦合到接触插塞的上表面的金属布线以及形成在金属布线中的狭缝。此外，在平面图中的X方向上，接触插塞形成在金属布线的端部处，并且狭缝形成在与接触插塞分开的位置处。在金属布线端部处的上表面的边缘与狭缝的上表面之间的在X方向上的距离大于或等于接触插塞的上表面在X方向上的第一插塞直径并且小于或等于所述第一插塞直径的两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：接触插塞，形成在半导体衬底上方；第一布线，耦合到所述接触插塞的上表面；和狭缝，形成在所述第一布线中，其中所述接触插塞形成在所述第一布线的端部处，并且所述狭缝形成在顶视图中在第一方向上与所述接触插塞分开的位置处，以及其中在所述第一方向上的所述第一布线的所述端部的边缘与所述狭缝的在所述接触插塞侧上的边缘之间的距离大于或等于顶视图中在所述第一方向上的所述接触插塞的上表面的第一直径且小于或等于所述第一直径的两倍。
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