[发明专利]半导体器件

说明书

本发明的目的是改善半导体器件的操作特性。半导体器件具有形成在半导体衬底上方的接触插塞、耦合到接触插塞的上表面的金属布线以及形成在金属布线中的狭缝。此外，在平面图中的X方向上，接触插塞形成在金属布线的端部处，并且狭缝形成在与接触插塞分开的位置处。在金属布线端部处的上表面的边缘与狭缝的上表面之间的在X方向上的距离大于或等于接触插塞的上表面在X方向上的第一插塞直径并且小于或等于所述第一插塞直径的两倍。

相关申请的交叉引用

这里通过参考并入2017年2月10日提交的日本专利申请No.2017-023321的全部公开内容，包括说明书、附图和摘要。

技术领域

本发明涉及半导体器件，并且可以优选地用于具有通过例如镶嵌工艺形成的金属布线的半导体器件。

背景技术

日本未审查专利申请公开No.2002-343861描述了一种半导体集成电路，其中位于与接触插塞的下表面相对的端部处的接触插塞的上表面从层间绝缘膜的主表面突出，并且电容器下电极以其中心偏离的方式布置在接触插塞的上部部分处，以覆盖接触插塞的突出部。

发明内容

伴随着大规模集成(LSI)电路的微加工，难以确保通过镶嵌工艺形成的金属布线与位于金属布线的端部处的接触插塞之间的接触面积，并且半导体器件的操作特性由于接触电阻的增加而不利地恶化。

其他问题和新颖特征从说明书和附图的描述中将变得显而易见。

根据一个实施例的半导体器件具有形成在半导体衬底上方的接触插塞、耦合到接触插塞的上表面的金属布线以及形成在金属布线中的狭缝。此外，在平面图中的第一方向上，接触插塞形成在金属布线的端部处，并且狭缝形成在与接触插塞分开的位置处。金属布线的端部处的上表面的边缘与狭缝的上表面之间的在第一方向上的距离等于或大于接触插塞的上表面在第一方向上的第一直径的两倍或更小。

根据一个实施例，可以改善半导体器件的操作特性。

附图说明

图1是根据实施例的半导体器件的横截面图；

图2A是示出根据实施例的设计金属布线和设计接触插塞的平面图，图2B是示出根据实施例的最终金属布线的上表面和最终接触插塞的上表面的平面图，图2C是沿着图2B的线A-A'截取的横截面图；

图3A是示出根据实施例的第一修改示例的设计金属布线和设计接触插塞的平面图，图3B是示出根据实施例的第一修改示例的最终金属布线的上表面和最终接触插塞的上表面的平面图；

图4A是示出根据实施例的第二修改示例的设计金属布线和设计接触插塞的平面图，图4B是示出根据实施例的第二修改示例的最终金属布线的上表面和最终接触插塞的上表面的平面图；以及

图5A是示出根据比较示例的设计金属布线和设计接触插塞的平面图，图5B是示出根据比较示例的最终金属布线和最终接触插塞的横截面图。

具体实施方式

将使用以下实施例来描述本发明，同时为了方便起见，必要时将本发明划分成多个部分或实施例。但是，除了特别指定的情况之外，这些部分或实施例彼此不是无关的，而是一个部分或实施例作为另一部分或实施例的修改示例、应用、详细说明或补充说明的一部分或者全部。此外，在以下的实施例中，在说明书提及元件数目(包括件数、数值、量、范围等)的情况下，该数目不限于该特定数目，而是可以比该特定数目更大或更小，除特别指定的情况之外或除原则上明显限于该特定数目的情况之外。