[发明专利]一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法有效

专利信息
申请号: 201810072169.6 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108281532B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 申请(专利权)人: 扬州乾照光电有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/06;H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李婷婷;王宝筠
地址: 225101 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请提供一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法,在柔性衬底上形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层。由于柔性衬底相对于蓝宝石衬底和硅衬底等硬质衬底,其厚度更薄,使得LED芯片的厚度更薄,散热更快。而通过在柔性衬底上形成两个过孔,在过孔中形成第一电极和第二电极,使得第一电极和第二电极裸露在柔性衬底的同一个表面,从而能够采用CSP工艺进行封装,使得封装后的LED芯片的厚度更薄,且封装工艺简单。
搜索关键词: 一种 柔性 led 芯片 及其 制作方法 封装 方法
【主权项】:
1.一种柔性LED芯片制作方法,其特征在于,包括:提供柔性衬底,所述柔性衬底包括相对设置的第一表面和第二表面;在所述柔性衬底上形成第一过孔和第二过孔;在所述柔性衬底的所述第一表面形成第一电极和第二电极,所述第一电极填充所述第一过孔,并延伸至所述柔性衬底的第二表面,所述第二电极填充所述第二过孔,并延伸至所述柔性衬底的第二表面;在所述柔性衬底上所述第二电极之外的区域依次形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层;在所述第二电极和所述第一型半导体层、所述多量子阱层之间的区域沉积钝化层,所述钝化层背离所述柔性衬底的表面至少高于所述多量子阱层和所述第二型半导体层的交界面;溅射欧姆接触层,所述欧姆接触层连接所述第二电极和所述第二型半导体层;快速热退火。
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