[发明专利]闪存

摘要

本发明公开了一种闪存，在闪存单元阵列中，在半导体衬底表面包括由场氧化层隔离出的有源区，各有源区呈条形结构并平行排列，多晶硅浮栅位于有源区的顶部并通过第一栅氧化层隔离。在有源区的宽度方向上，在多晶硅浮栅的侧面和对应的有源区的侧面为光刻对齐的条件下会形成由场氧化层被刻蚀消耗引起的多晶硅浮栅的宽度扩展，各多晶硅浮栅的两侧面设置有凸凹结构，凸凹结构的凸部和凹部在位置上互相对应设置使多晶硅浮栅的侧面间距得到扩展。本发明能降低相邻的多晶硅浮栅之间的互相干扰，有利于增加漏极电压，提高编程速度；还能增加控制栅和浮栅之间的耦合率，有利于进一步降低栅极电压；能有利于闪存单元的尺寸的进一步的缩减。

主权项

1.一种闪存，其特征在于，闪存的存储区包括由多个闪存单元排列形成的闪存单元阵列；各所述闪存单元的栅极结构包括由第一栅氧化层、多晶硅浮栅、第二ONO层和多晶硅控制栅形成的叠加结构；在所述闪存单元阵列中，在半导体衬底表面形成有由场氧化层隔离出的有源区，各所述有源区呈条形结构并平行排列，所述多晶硅浮栅位于所述有源区的顶部并通过所述第一栅氧化层隔离；在所述有源区的宽度方向上，在所述多晶硅浮栅的侧面和对应的所述有源区的侧面为光刻对齐的条件下会形成由所述场氧化层被刻蚀消耗引起的所述多晶硅浮栅的宽度扩展，各所述多晶硅浮栅的两侧面设置有凸凹结构，各所述凸凹结构分别包括凸部和凹部，两个相邻的所述多晶硅浮栅之间相邻的所述凸凹结构的凸部和凹部在位置上互相对应设置使得两个相邻的所述多晶硅浮栅的各位置处的侧面间距都为对应的凸部和凹部之间的间距，从而使相邻的所述多晶硅浮栅的侧面间距得到扩展并抵消所述多晶硅浮栅的宽度扩展造成的所述多晶硅浮栅的间距的减少。